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第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)，也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表。

第三代半导体概念股：长方集团、豫金刚石、聚灿光电等。

2020年中国第三代半导体行业发展现状与投资分析

从应用领域看，第三代半导体主要有三个应用方向，为光电子、电力电子、微波射频。光电子可用于激光显示、环境监测、紫外光源等领域，电力电子可用于工业机电、新能源并网、轨道交通等领域，微波射频可用于遥感、雷达、卫星通讯等领域。

近日，2020世界半导体大会暨国际第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方向，现在到了动议讨论实施方案的阶段。

新基建带来广阔空间从20世纪80年代起，第三代半导体材料催生了照明、显示、蓝光存储等光电领域的新需求和新产业。近十年来，第三代半导体材料应用的热点转向电子器件领域，在光伏逆变器、电动汽车驱动模块、UPS、电力变换、电机驱动等涉及电力、电器、电子和新能源的领域都有着重要的应用。

新基建带来广阔空间从20世纪80年代起，第三代半导体材料催生了照明、显示、蓝光存储等光电领域的新需求和新产业。近十年来，第三代半导体材料应用的热点转向电子器件领域，在光伏逆变器、电动汽车驱动模块、UPS、电力变换、电机驱动等涉及电力、电器、电子和新能源的领域都有着重要的应用。

随着第三代半导体的战略意义被广泛认知，国内厂商加速布局，形成了包括衬底、外延、器件设计、流片、封装、系统在内的产业链条。

《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》由中研普华研究院撰写，本报告依据全国及海外多种相关报纸杂志的基础信息等公布和提供的大量资料和数据，客观、多角度地对中国第三代半导体市场进行了分析研究。报告在总结中国第三代半导体行业发展历程的基础上，结合新时期的各方面因素，对中国第三代半导体行业的发展趋势给予了细致和审慎的预测论证。报告资料详实，图表丰富，既有深入的分析，又有直观的比较，为第三代半导体企业在激烈的市场竞争中洞察先机，能准确及时的针对自身环境调整经营策略。

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